對(duì)于 LED 來說，使其老化加速的因素包括高溫、大電流和較高的相對(duì)濕度等。高溫加速 LED器件老化的機(jī)制是較高的溫度會(huì)加快化學(xué)反應(yīng)速度，引起封裝材料的退化隨著溫度的增加，材料老化的速率也會(huì)加快。對(duì)于LED燈珠的溫濕度老化試驗(yàn)，我們來了解一下相關(guān)試驗(yàn)內(nèi)容。
試驗(yàn)設(shè)備：環(huán)儀儀器 led燈濕熱環(huán)境試驗(yàn)機(jī)（可配套夾具、治具、測(cè)試板、測(cè)試排線、直流電源等）
試驗(yàn)內(nèi)容：
LED樣品放置在試驗(yàn)腔內(nèi)的支架上，并且使樣品之間保持一定的距離，以利于空氣的流動(dòng)。
試驗(yàn)的環(huán)境溫度分為25℃和85℃兩種情況：
1.在 25℃條件下，對(duì)LED單模塊施加的驅(qū)動(dòng)電流為350mA。
2.在85℃條件下，驅(qū)動(dòng)電流為350mA 和 700mA 兩種條件，試驗(yàn)腔內(nèi)的相對(duì)濕度為 22.6%RH。
LED單模塊在各個(gè)試驗(yàn)條件下的結(jié)溫如下表所示。試驗(yàn)持續(xù)的時(shí)間為4500小時(shí)。
試驗(yàn)結(jié)果：
經(jīng)過 4500小時(shí)的老化后，85℃條件下，驅(qū)動(dòng)電流分別為350mA和700mA時(shí)，LED模塊反向漏電流(@-5V)的均值和標(biāo)準(zhǔn)差隨老化時(shí)間的變化如下圖所示。
從圖中可以看出，反向漏電流的變化趨勢(shì)是隨老化時(shí)間而逐漸增大，并且標(biāo)準(zhǔn)方差的整體變化趨勢(shì)也是逐漸增大。這說明，長(zhǎng)時(shí)間的高溫老化便LED 芯片的性能變差，并且LED芯片內(nèi)的位錯(cuò)等缺陷的影響開始出現(xiàn)，增大了個(gè)體之間的差異，使LED樣品的數(shù)據(jù)分布離平均值越來越遠(yuǎn)。
如需了解更多LED燈的試驗(yàn)內(nèi)容，可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。
